Transistor a 1 atomo

[TheKaneB]

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Il piccolo dispositivo, descritto in una pubblicazione su Nature Nanotechnology, usa quale componente attivo un singolo atomo di fosforo collocato tra elettrodi e gate di controllo ellettrostatici in silicio.

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[youtube:pufgeebc]http://www.youtube.com/watch?v=ue4z9lB5ZHg[/youtube:pufgeebc]

via: http://www.businessmagazine.it/news/rea ... 40822.html

 :shock:

[Allanon]

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Fra pochi anni le cose cambieranno, in bene o in male, ma cambieranno, forse potremo rivivere un periodo fantastico e pionieristico come quello dell'esplosione degli home computer degli anni 80

[Amig4be]

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Il piccolo dispositivo, descritto in una pubblicazione su Nature Nanotechnology, usa quale componente attivo un singolo atomo di fosforo collocato tra elettrodi e gate di controllo ellettrostatici in silicio.

[...]

[youtube:c9f5sofy]http://www.youtube.com/watch?v=ue4z9lB5ZHg[/youtube:c9f5sofy]

via: http://www.businessmagazine.it/news/rea ... 40822.html

 :shock:

avevo letto, ma come si riuscirà a "mettere insieme" questi atomi per realizzare un'architettura complessa?

[AmigaCori]

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Io non ho capito, hanno impiantato un singolo atomo di fosforo, solitamente se ne mettono molti, quindi presumo che sia un drogaggio selettivo piu' che statistico del semiconduttore...mi scappa un po' come funzioni sto coso...un singolo atomo drogante non puo' risucire a permettere un flusso di elettroni sufficiente ad un utilizzo "classico" del transitor, quindi mi viene da pensare che tramite un voltaggio di gate, si controllera' sto atomo, si leggera' lo stato dell'atomo e si capira' se e' 1 oppure 0 e quindi da qui' si potranno costruire sistemi piu' complessi.

Comunque il controllo dell'impiantazione di un singolo atomo e' stupefacente, attualmente si fa una stima "statistica" perche' un controllo a singolo atomo non e' possibile...presumo quindi che questo controllo migliorato si potra' estendere anche ai transistor "normali" per ridurne le dimensioni, aumentarne le prestazioni e la durata del ciclo vitale....

@Amig4be
Credo, da quanto ho capito, che non si connetteranno assieme gli atomi, ma assieme i transistor controllati da un singolo atomo invece che da "molti" come accade ora, quindi concettualmente sara' come ora, ovvero milioni di transistor interconnessi a formare funzioni piu' complesse e quindi sistemi.

[TheKaneB]

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attualmente possono essere prodotti uno per volta, su una basetta di silicio, tramite microscopio ad effetto tunnel.
Ma anche i transistor normali al silicio si producevano uno per volta negli anni '60, e oggi abbiamo chip con miliardi di mosfet :-)

E' plausibile che tra una ventina d'anni si trovi un procedimento per la produzione industriale in grandi volumi, in questo campo ci sono grossi investimenti da parte di IBM oltre che le varie università.

@Cori: se ho capito bene non si tratta di drogaggio, ma di controllo elettrostatico sul fosforo, cioè un bit dovrebbe essere rappresentato da un singolo elettrone sul guscio esterno. Quindi non si tratterebbe di transistor nel senso classico ma di FET.

[AmigaCori]

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@Cori: se ho capito bene non si tratta di drogaggio, ma di controllo elettrostatico sul fosforo, cioè un bit dovrebbe essere rappresentato da un singolo elettrone sul guscio esterno. Quindi non si tratterebbe di transistor nel senso classico ma di FET.

Si, sono indubbiamente FET (piu' precisamente assimilabili al funzionamento di un FET...) perche' con un singolo atomo come drogante non puoi andare a leggere la corrente ma solo la tensione comandata dal GATE, presumo quindi che sto coso funzioni leggendo ai capi di...drain e source? (non ho trovato come funzioni il coso) lo stato dell'atomo di fosforo all'interno del transistor.
Iniettare un'impurita' nel semiconduttore (silicio di solito) in generale e' un'operazione di drogaggio, quindi iniettando quell'atomo di fosforo hanno drogato il silicio, a questo mi riferivo con la parola drogaggio
Ecco, leggendo l'articolo inglese si legge cio':
“Our group has proved that it is really possible to position one phosphorus atom in a silicon environment - exactly as we need it - with near-atomic precision, and at the same time register gates,” he says

Quindi invece di mettere "tanti" atomi di fosforo sono riusciti a metteren uno solo...pero', da qui' a capire "come utilizzarlo" non credo che sia immediato, ed attualmente e' sta cosa che mi incuriosisce moltissimo ^^ il transistor 3D lo vedo un po' come un grattacapo, questo come una vera innovazione

[TheKaneB]

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si hai ragione, io per "drogaggio" intendevo il processo di diffusione che, appunto, deposita le sostanze droganti come se fosse una sorta di "vapore" (termine altamente tecnico :lol: ). Qui trattandosi di un singolo atomo piazzato con un microscopio ad effetto tunnel, di fatto hanno "drogato" il silicio (perchè non è più silicio puro), ma lo scopo (e soprattutto la tecnica) è totalmente diverso.

[AmigaCori]

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Beh, anche se drogaggio potrebbe sembrare una parola non tecnica in realta' lo e'  :lol:  in inglese si usa "dopant"  :?  e descrive non il processo ma lo stato del semiconduttore, appundo mettendo dentro al silicio atomi "accetori" di elettroni o "donori" di elettroni tramite un processo, solitamente di diffusione (il tuo vapore  :mrgreen:  che e' comunque sia termine tecnico  :ugeek:  perche' si introduce proprio un gas o liquido contenete i "droganti") opure di impiantazione ionica (i droganti vengono sparati da un cannone elettronico) crei un semiconduttore "drogato" n o p e da qui' deriva il termine drogaggio che descrive il processo.  

Ormai ogni azienda seria usa solo impiantazione ionica perche' lo "svaporaggio" e' troppo impreciso e va fatto a temperature elevate che sono sia costose, difficili da controllare e portano a strani comportmenti non controllabili sia del silicio che dei droganti.